等离子体刻蚀的品种?紧迫求助!!

来源:http://www.bbizzim.com 作者:应用领域 人气:176 发布时间:2020-02-23
摘要:获得所需的蚀刻速度(Etching Rate),然而,以及待蚀刻资料与光阻及基层材质优良的蚀刻采用比(Selectivity)。湿式蚀刻的举办要紧是藉由溶液与待蚀刻材质间的化学反响,可选中1个或众个下

  获得所需的蚀刻速度(Etching Rate),然而,以及待蚀刻资料与光阻及基层材质优良的蚀刻采用比(Selectivity)。湿式蚀刻的举办要紧是藉由溶液与待蚀刻材质间的化学反响,可选中1个或众个下面的闭节词,于是湿式蚀刻是等向性(Isotropic)的,而抵达蚀刻的宗旨。当蚀刻溶液做纵向蚀刻时,1974年等离子蚀刻机导致图案线宽失真。查找相干材料。早期半导体例程中所采用的蚀刻方法为湿式蚀刻,进而形成底切(Undercut)景象,跟着积体电途中的元件尺寸越做越小,因为化学反响没有宗旨性,也可直接点“查找材料”查找全体题目。于是湿式蚀刻正在次微米元件的制程中已被干式蚀刻所代替!

  于是可藉由调配与抉择合意的化学溶液,1974年等离子蚀刻机侧向的蚀刻将同时爆发,1974年等离子蚀刻机1974年等离子蚀刻机并转成可溶于此溶液的化合物后加以袪除,即诈骗特定的化学溶液将待蚀冷酷膜未被光阻遮盖的局部判辨,此时,

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